NVMSD6N303R2G
رقم القطعة:
NVMSD6N303R2G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19449 Pieces
ورقة البيانات:
NVMSD6N303R2G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NVMSD6N303R2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NVMSD6N303R2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NVMSD6N303R2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:32 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:NVMSD6N303R2G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:950pF @ 24V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Schottky Diode (Isolated)
وصف موسع:N-Channel 30V 6A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات