NVMFS5832NLT1G
NVMFS5832NLT1G
رقم القطعة:
NVMFS5832NLT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15119 Pieces
ورقة البيانات:
NVMFS5832NLT1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NVMFS5832NLT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NVMFS5832NLT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NVMFS5832NLT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.2 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.7W (Ta), 127W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:29 Weeks
الصانع الجزء رقم:NVMFS5832NLT1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:51nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 21A (Ta) 3.7W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:21A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات