يشترى NTP45N06LG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTP45N06LG
- رقم القطعة:
- NTP45N06LG
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16015 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTP45N06LG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTP45N06LG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTP45N06LG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 28 mOhm @ 22.5A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.4W (Ta), 125W (Tj) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | NTP45N06LGOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTP45N06LG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 32nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 45A (Ta) 2.4W (Ta), 125W (Tj) Through Hole TO-220AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 45A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTP45N06LG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7623-75A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK | تحقيق |
 |
NTP45N06G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB | تحقيق |
 |
HUFA76407D3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
TN0604N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 | تحقيق |
|
NTP45N06 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB | تحقيق |
 |
DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | تحقيق |
|
NTP45N06L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB | تحقيق |
 |
IRFR7546PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A DPAK | تحقيق |
 |
GP1M008A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 8A TO220 | تحقيق |
 |
SIR870DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
SI4682DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
 |
TPH11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP | تحقيق |
 |
IRF7467PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRLR7843TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers