يشترى NTLGF3501NT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTLGF3501NT1G
- رقم القطعة:
- NTLGF3501NT1G
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15946 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTLGF3501NT1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTLGF3501NT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTLGF3501NT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-DFN (3x3) |
| سلسلة: | FETKY™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.14W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VDFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | NTLGF3501NT1G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 275pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-DFN (3x3) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTLGF3501NT1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 | تحقيق |
 |
IRF9332PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC | تحقيق |
 |
NTLGF3402PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN | تحقيق |
|
NTLGF3501NT2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN | تحقيق |
 |
NTF3055L108T3LF | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 | تحقيق |
 |
AUIRLR2905Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
NTLGF3402PT2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN | تحقيق |
 |
IXKF40N60SCD1 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 | تحقيق |
 |
SI8809EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT | تحقيق |
 |
BUK7535-100A,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB | تحقيق |
 |
APTM120DA15G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | تحقيق |
 |
STD15N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A DPAK | تحقيق |
 |
STU60N55F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A IPAK | تحقيق |
 |
SI7868ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog