يشترى NTJD1155LT1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTJD1155LT1
- رقم القطعة:
- NTJD1155LT1
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18996 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTJD1155LT1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTJD1155LT1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTJD1155LT1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 400mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTJD1155LT1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 8V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTJD1155LT1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CPH5617-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5 | تحقيق |
 |
STS8DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO | تحقيق |
 |
NDS9953A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | تحقيق |
 |
NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | تحقيق |
|
FDS9933 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC | تحقيق |
 |
HP8K22TB | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET | تحقيق |
 |
BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO | تحقيق |
 |
SI5975DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET | تحقيق |
|
IRF7104PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
VMM1000-01P | IXYS | MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI | تحقيق |
|
SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | تحقيق |
|
IRF7350PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 100V 8SOIC | تحقيق |
 |
NTHD4102PT3G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET | تحقيق |
|
IRF7319PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | تحقيق |
|
AUIRF7343Q | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC | تحقيق |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers