يشترى NTGS4111PT2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTGS4111PT2G
- رقم القطعة:
- NTGS4111PT2G
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13218 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTGS4111PT2G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTGS4111PT2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTGS4111PT2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 3.7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 630mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTGS4111PT2G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 750pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 32nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 2.6A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTGS4111PT2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP | تحقيق |
|
NTGS4111PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP | تحقيق |
|
NTGS4111PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP | تحقيق |
 |
IRFR224PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK | تحقيق |
 |
SK8603180L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSO | تحقيق |
 |
RJK2511DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 250V 65A TO3P | تحقيق |
 |
SSM6J414TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 6A UF6 | تحقيق |
 |
APT18F60B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | تحقيق |
 |
RJK5013DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 14A TO220 | تحقيق |
 |
BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
IRLD110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | تحقيق |
 |
FQPF13N10L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F | تحقيق |
 |
IRFR15N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 17A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers