يشترى NTDV5805NT4G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTDV5805NT4G
- رقم القطعة:
- NTDV5805NT4G
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18563 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTDV5805NT4G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTDV5805NT4G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTDV5805NT4G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.5 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTDV5805NT4G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1725pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 80nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 40V 51A (Tc) Surface Mount DPAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف: | MOSFET N-CH 40V 51A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTDV5805NT4G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
R6012ANJTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | تحقيق |
 |
STD3NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK | تحقيق |
 |
SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB | تحقيق |
 |
GP1M007A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK | تحقيق |
 |
R6035KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | NCH 600V 35A POWER MOSFET | تحقيق |
 |
IRFZ44NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | تحقيق |
 |
STB13N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK | تحقيق |
 |
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252 | تحقيق |
 |
CSD18534Q5AT | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | تحقيق |
 |
IRFR5505CPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | تحقيق |
 |
ZVP1320FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3 | تحقيق |
 |
NVMFS5C442NWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
|
CSD19531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | تحقيق |
|
IRF1407S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
NVTFS4C06NWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 71A U8FL | تحقيق |
 |
AO4485_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8SOIC | تحقيق |
 |
IXTQ36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P | تحقيق |
|
CSD17578Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON | تحقيق |
 |
SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | تحقيق |
 |
IRFSL11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers