يشترى NTD2955-1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTD2955-1G
- رقم القطعة:
- NTD2955-1G
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14546 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTD2955-1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD2955-1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD2955-1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 55W (Tj) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | NTD2955-1G-ND NTD2955-1GOS NTD29551G |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 21 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NTD2955-1G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 750pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Through Hole I-Pak |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTD2955-1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RFD14N05LSM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | تحقيق |
 |
NTD2955T4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
|
NTD2955PT4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
|
NTD2955G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
FQA13N80 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P | تحقيق |
 |
STB170NF04 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFB3507PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXFH50N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 | تحقيق |
 |
AOW290 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET NCH 100V 140A TO262 | تحقيق |
 |
SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 | تحقيق |
 |
MCH6337-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 | تحقيق |
 |
2N6760 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-3 | تحقيق |
 |
TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers