NSVMUN5131T1G
NSVMUN5131T1G
رقم القطعة:
NSVMUN5131T1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18684 Pieces
ورقة البيانات:
NSVMUN5131T1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NSVMUN5131T1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NSVMUN5131T1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NSVMUN5131T1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 5mA, 10mA
نوع الترانزستور:PNP - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:SC-70-3 (SOT323)
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):2.2k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):2.2k
السلطة - ماكس:202mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-70, SOT-323
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:21 Weeks
الصانع الجزء رقم:NSVMUN5131T1G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
وصف:TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:8 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات