يشترى NSVBAS16WT3G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NSVBAS16WT3G
- رقم القطعة:
- NSVBAS16WT3G
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13275 Pieces
- ورقة البيانات:
- NSVBAS16WT3G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NSVBAS16WT3G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NSVBAS16WT3G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.25V @ 200mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-70-3 (SOT323) |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 6ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NSVBAS16WT3G |
| وصف موسع: | Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 200mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNSVBAS16WT3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NSVBAS116LT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | تحقيق |
|
NSVBAS21SLT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23 | تحقيق |
 |
NSVBAS21M3T5G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723 | تحقيق |
 |
NSVBAS16TT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75 | تحقيق |
 |
JAN1N6630U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | تحقيق |
|
NSVBAS19LT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 | تحقيق |
|
NSVBAS20LT3G | ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
SD103AWS-HG3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323 | تحقيق |
|
NSVBAS70LT1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
NSVBAS21HT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | تحقيق |
 |
NSVBAS21TMR6T1G | ON Semiconductor | DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74 | تحقيق |
|
NSVBAS21AHT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | تحقيق |
 |
GB02SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | تحقيق |
|
NSVBAS21HT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | تحقيق |
 |
GKR71/08 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 95A DO5 | تحقيق |
|
NSVBAS21TMR6T2G | ON Semiconductor | DIODE SWITCHING 250V SC-74 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers