NSBC113EDXV6T1G
NSBC113EDXV6T1G
رقم القطعة:
NSBC113EDXV6T1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14686 Pieces
ورقة البيانات:
NSBC113EDXV6T1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NSBC113EDXV6T1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NSBC113EDXV6T1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NSBC113EDXV6T1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 5mA, 10mA
نوع الترانزستور:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-563
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):1k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):1k
السلطة - ماكس:500mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:NSBC113EDXV6T1GOSTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NSBC113EDXV6T1G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
وصف:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:3 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات