NSB8JTHE3/81
NSB8JTHE3/81
رقم القطعة:
NSB8JTHE3/81
الصانع:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
وصف:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18160 Pieces
ورقة البيانات:
1.NSB8JTHE3/81.pdf2.NSB8JTHE3/81.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NSB8JTHE3/81 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NSB8JTHE3/81 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NSB8JTHE3/81 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.1V @ 8A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):600V
تجار الأجهزة حزمة:TO-263AB
سرعة:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-55°C ~ 150°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NSB8JTHE3/81
وصف موسع:Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:10µA @ 600V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):8A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:55pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات