NS8BTHE3_A/P
NS8BTHE3_A/P
رقم القطعة:
NS8BTHE3_A/P
الصانع:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
وصف:
DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13009 Pieces
ورقة البيانات:
NS8BTHE3_A/P.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NS8BTHE3_A/P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NS8BTHE3_A/P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NS8BTHE3_A/P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.1V @ 8A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):100V
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AC
سرعة:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
سلسلة:Automotive, AEC-Q101
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-2
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-55°C ~ 150°C
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:30 Weeks
الصانع الجزء رقم:NS8BTHE3_A/P
وصف موسع:Diode Standard 100V 8A Through Hole TO-220AC
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:10µA @ 100V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):8A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:55pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات