العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > NE3521M04-T2-A
NE3521M04-T2-A
رقم القطعة:
NE3521M04-T2-A
الصانع:
CEL (California Eastern Laboratories)
وصف:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18540 Pieces
ورقة البيانات:
NE3521M04-T2-A.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3521M04-T2-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3521M04-T2-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NE3521M04-T2-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:2V
الجهد - تقييمه:4V
نوع الترانزستور:N-Channel GaAs HJ-FET
سلسلة:-
مخرج قوي:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:4-SMD, Flat Leads
اسماء اخرى:NE3521M04-T2-ATR
الضوضاء الشكل:0.85dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:NE3521M04-T2-A
ربح:11dB
تردد:20GHz
وصف موسع:RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 6mA 20GHz 11dB
وصف:IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
التصويت الحالي:70mA
الحالي - اختبار:6mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لNE3521M04-T2-A

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRF6P18190HR6 Image MRF6P18190HR6 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230 تحقيق
BLF888BS,112 Image BLF888BS,112 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 50V SOT539B تحقيق
NE3521M04-A CEL IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI تحقيق
BLF7G22LS-160,112 Image BLF7G22LS-160,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B تحقيق
ATF-35143-TR2G Image ATF-35143-TR2G Broadcom Limited FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 تحقيق
BLL8H1214LS-500U Image BLL8H1214LS-500U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B تحقيق
NE3520S03-T1C-A Image NE3520S03-T1C-A CEL FET RF 4V 20GHZ S03 تحقيق
BF904R,215 Image BF904R,215 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143 تحقيق
MRF6S21050LSR3 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S تحقيق
BLF6G38-100,112 Image BLF6G38-100,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A تحقيق
NPT25015D Image NPT25015D M/A-Com Technology Solutions HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOIC تحقيق
PD57002S-E Image PD57002S-E STMicroelectronics FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10 تحقيق
CRF24060FE Image CRF24060FE Cree/Wolfspeed FET RF 120V 1.1GHZ 440193 تحقيق
SD2918 Image SD2918 STMicroelectronics TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 تحقيق
NE3520S03-A Image NE3520S03-A CEL FET RF 4V 20GHZ S03 تحقيق
2N5247 Fairchild/ON Semiconductor JFET N-CH 30V TO92 تحقيق

Latest الأخبار