يشترى NE3503M04-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NE3503M04-A
- رقم القطعة:
- NE3503M04-A
- وصف:
- FET RF 4V 12GHZ M04
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14140 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.NE3503M04-A.pdf2.NE3503M04-A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3503M04-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3503M04-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 2V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| نوع الترانزستور: | HFET |
| تجار الأجهزة حزمة: | M04 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-343F |
| اسماء اخرى: | NE3503M04A |
| الضوضاء الشكل: | 0.45dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NE3503M04-A |
| ربح: | 12dB |
| تردد: | 12GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04 |
| وصف: | FET RF 4V 12GHZ M04 |
| التصويت الحالي: | 70mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE3503M04-A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3509M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
 |
NE3503M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | تحقيق |
 |
BF1211R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R | تحقيق |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270GVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C | تحقيق |
 |
ATF-33143-TR1G | Broadcom Limited | FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
|
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | تحقيق |
|
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | تحقيق |
|
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | تحقيق |
|
BF2030WE6814BTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343 | تحقيق |
 |
MRF7S19080HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
MMRF1312GSR5 | NXP USA Inc. | TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | تحقيق |
|
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | تحقيق |
|
BLF8G27LS-150GVQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers