يشترى NE25139-T1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NE25139-T1
- رقم القطعة:
- NE25139-T1
- وصف:
- FET RF 13V 900MHZ SOT-143
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14718 Pieces
- ورقة البيانات:
- NE25139-T1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE25139-T1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE25139-T1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 13V |
| نوع الترانزستور: | MESFET Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-143 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-253-4, TO-253AA |
| اسماء اخرى: | 3SK177 NE25139-T1TR NE25139-TR NE25139TR |
| الضوضاء الشكل: | 1.1dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NE25139-T1 |
| ربح: | 20dB |
| تردد: | 900MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet MESFET Dual Gate 5V 10mA 900MHz 20dB SOT-143 |
| وصف: | FET RF 13V 900MHZ SOT-143 |
| التصويت الحالي: | 40mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE25139-T1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK4037(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH PW-X | تحقيق |
 |
2SK3075(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 30V 5A PW-X | تحقيق |
 |
PTFA091201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 | تحقيق |
 |
NPT2019 | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 160V 6GHZ 14DFN | تحقيق |
 |
MHT1001HR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ | تحقيق |
 |
NE25139-T1-U73 | CEL | FET RF 13V 900MHZ SOT-143 | تحقيق |
 |
IXZ318N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-140AVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | تحقيق |
 |
PTFA142401ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 | تحقيق |
 |
MRF6S9045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-200P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
 |
ARF461CG | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | تحقيق |
 |
NE5531079A-T1A-A | CEL | FET RF 30V 460MHZ 79A | تحقيق |
 |
MHT1008NT1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog