MURT20010
MURT20010
رقم القطعة:
MURT20010
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف:
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15940 Pieces
ورقة البيانات:
1.MURT20010.pdf2.MURT20010.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MURT20010 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MURT20010 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MURT20010 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.3V @ 100A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):100V
تجار الأجهزة حزمة:Three Tower
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):75ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:Three Tower
اسماء اخرى:MURT20010GN
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
الصانع الجزء رقم:MURT20010
وصف موسع:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
نوع الصمام الثنائي:Standard
تكوين الصمام الثنائي:1 Pair Common Cathode
وصف:DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:25µA @ 50V
التيار - متوسط ​​مصحح (أيو) (لكل ديود):200A (DC)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات