MT3S20P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - القطبين (بجت) - رف MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

رقم القطعة:: MT3S20P(TE12L,F)

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17600 Pieces

ورقة البيانات:: MT3S20P(TE12L,F).pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MT3S20P(TE12L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MT3S20P(TE12L,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى MT3S20P(TE12L,F) مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	12V
نوع الترانزستور:	NPN
تجار الأجهزة حزمة:	PW-MINI
سلسلة:	-
السلطة - ماكس:	1.8W
التعبئة والتغليف:	Original-Reel®
حزمة / كيس:	TO-243AA
اسماء اخرى:	MT3S20P(TE12LF)DKR
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
الضوضاء الشكل (ديسيبل الطباع @ و):	1.45dB @ 1GHz
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	MT3S20P(TE12L,F)
ربح:	16.5dB
تردد - تحول:	7GHz
وصف موسع:	RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 1.8W Surface Mount PW-MINI
وصف:	TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	100 @ 50mA, 5V
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	80mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT3S20P(TE12L,F)

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
TAN75A	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 290W 9A 55AZ1	تحقيق
2SC5455-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	تحقيق
MRF586G	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN TO-39	تحقيق
MCH4009-TL-H	ON Semiconductor	TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4	تحقيق
AT-32011-BLKG	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-143	تحقيق
MT3S20TU(TE85L)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM	تحقيق
AT-41486-BLKG	Broadcom Limited	TRANS SIL LOW NOISE BIPOL 45MD	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار