يشترى MRFE6VP6600NR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRFE6VP6600NR3
- رقم القطعة:
- MRFE6VP6600NR3
- وصف:
- TRANS RF LDMOS 600W 50V
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16180 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.MRFE6VP6600NR3.pdf2.MRFE6VP6600NR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRFE6VP6600NR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRFE6VP6600NR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 133V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | OM780-4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 600W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | OM780-4 |
| اسماء اخرى: | MRFE6VP6600NR3DKR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MRFE6VP6600NR3 |
| ربح: | 24.7dB |
| تردد: | 230MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24.7dB 600W OM780-4 |
| وصف: | TRANS RF LDMOS 600W 50V |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRFE6VP6600NR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP6600GNR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | تحقيق |
 |
MRFE6S9135HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 940MHZ NI-880 | تحقيق |
 |
MRFE6VP6300HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | تحقيق |
|
MRFE6VP6300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25GNR6 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | تحقيق |
|
MRFE6VP6300GSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 50V 600MHZ NI780-4 | تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
MRFE6VP5600HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S | تحقيق |
|
MRFE6VP61K25HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S | تحقيق |
|
MRFE6VP61K25HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S | تحقيق |
 |
MRFE6VP6300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | تحقيق |
|
MRFE6VP61K25NR6 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | تحقيق |
|
MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | تحقيق |
|
MRFE6VP61K25GSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS | تحقيق |
|
MRFE6VP6300HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers