MJE803G
MJE803G
رقم القطعة:
MJE803G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17406 Pieces
ورقة البيانات:
MJE803G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MJE803G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MJE803G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MJE803G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):80V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:2.8V @ 40mA, 2A
نوع الترانزستور:NPN - Darlington
تجار الأجهزة حزمة:TO-225AA
سلسلة:-
السلطة - ماكس:40W
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-225AA, TO-126-3
اسماء اخرى:MJE803GOS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:2 Weeks
الصانع الجزء رقم:MJE803G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
وصف:TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:750 @ 2A, 3V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100µA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):4A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات