MJD6039T4G
MJD6039T4G
رقم القطعة:
MJD6039T4G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18590 Pieces
ورقة البيانات:
MJD6039T4G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MJD6039T4G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MJD6039T4G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MJD6039T4G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):80V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:2.5V @ 8mA, 2A
نوع الترانزستور:NPN - Darlington
تجار الأجهزة حزمة:DPAK-3
سلسلة:-
السلطة - ماكس:1.75W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:MJD6039T4G-ND
MJD6039T4GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-65°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:2 Weeks
الصانع الجزء رقم:MJD6039T4G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 1.75W Surface Mount DPAK-3
وصف:TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:500 @ 2A, 4V
الحالي - جامع القطع (ماكس):10µA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):4A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات