يشترى MIO1200-25E10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MIO1200-25E10
- رقم القطعة:
- MIO1200-25E10
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15184 Pieces
- ورقة البيانات:
- MIO1200-25E10.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MIO1200-25E10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MIO1200-25E10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 2500V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 1200A |
| تجار الأجهزة حزمة: | E10 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | - |
| حزمة / كيس: | E10 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MIO1200-25E10 |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 186nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| وصف موسع: | IGBT Module NPT Single Switch 2500V 1200A Chassis Mount E10 |
| وصف: | MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 120mA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 1200A |
| ترتيب: | Single Switch |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMIO1200-25E10
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MIO1200-33E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10 | تحقيق |
|
MIO1200-33E11 | IXYS | IGBT MODULE SGL 1200A E11 | تحقيق |
 |
APT40GP90JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 900V 64A 284W SOT227 | تحقيق |
 |
VS-GB400AH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 550A 2841W INT-A-PAK | تحقيق |
 |
CM300DY-12H | Powerex Inc. | IGBT MOD DUAL 600V 300A H SER | تحقيق |
|
MUBW50-12T8 | IXYS | MODULE IGBT CBI E3 | تحقيق |
|
VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | تحقيق |
 |
IRG7T300CH12B | Infineon Technologies | MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 | تحقيق |
 |
GHIS040A120S-A2 | Global Power Technologies Group | IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227 | تحقيق |
|
MKI100-12E8 | IXYS | MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog