MC1413BDR2G
رقم القطعة:
MC1413BDR2G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15307 Pieces
ورقة البيانات:
MC1413BDR2G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MC1413BDR2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MC1413BDR2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MC1413BDR2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:1.6V @ 500µA, 350mA
نوع الترانزستور:7 NPN Darlington
تجار الأجهزة حزمة:16-SOIC
سلسلة:-
السلطة - ماكس:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:MC1413BDR2GOS
MC1413BDR2GOS-ND
MC1413BDR2GOSTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:MC1413BDR2G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
وصف:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:1000 @ 350mA, 2V
الحالي - جامع القطع (ماكس):-
الحالي - جامع (IC) (ماكس):500mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات