يشترى LN100LA-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
LN100LA-G
- رقم القطعة:
- LN100LA-G
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 1200V
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14405 Pieces
- ورقة البيانات:
- LN100LA-G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل LN100LA-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك LN100LA-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.6V @ 10µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-LFGA (3x3) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V |
| السلطة - ماكس: | 350mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VFLGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | LN100LA-G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 50pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Cascoded) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Cascoded) 1200V (1.2kV) 350mW Surface Mount 6-LFGA (3x3) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 1200V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLN100LA-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDMS3604S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN | تحقيق |
 |
IRF8915 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF7506TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 | تحقيق |
 |
AO4952 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDD8424H_F085A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | تحقيق |
 |
2N7334 | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | تحقيق |
 |
NTMD6N02R2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO | تحقيق |
 |
FDPC8014AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A | تحقيق |
 |
SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
 |
DMN65D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | تحقيق |
 |
DMC2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT963 | تحقيق |
 |
SI3552DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP | تحقيق |
 |
SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog