يشترى LET9070CB مع BYCHPS
شراء مع ضمان
LET9070CB
- رقم القطعة:
- LET9070CB
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSF RF N CH 80V 12A M243
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16515 Pieces
- ورقة البيانات:
- LET9070CB.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل LET9070CB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك LET9070CB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 80V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | M243 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 80W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | M243 |
| اسماء اخرى: | 497-13571 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | LET9070CB |
| ربح: | 16dB |
| تردد: | 945MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 400mA 945MHz 16dB 80W M243 |
| وصف: | MOSF RF N CH 80V 12A M243 |
| التصويت الحالي: | 12A |
| الحالي - اختبار: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLET9070CB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BG3123E6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 | تحقيق |
 |
MRF8P8300HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S | تحقيق |
 |
MRFG35002N6T1 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 | تحقيق |
 |
MRF7S18125BHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI780 | تحقيق |
 |
LET9045C | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 9A M-250 | تحقيق |
 |
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | تحقيق |
 |
LET9060S | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | تحقيق |
|
LET9060C | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 12A M-243 | تحقيق |
 |
LET9060F | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 12A M-250 | تحقيق |
 |
MRF6S23140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
CGH40180PP | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 2.5GHZ 440199 | تحقيق |
 |
BLP27M810Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | تحقيق |
|
LET9045 | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A | تحقيق |
 |
MMRF1021NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W | تحقيق |
|
LET9045S | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A | تحقيق |
|
LET9060STR | STMicroelectronics | RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
BLF6G10LS-260PRN:1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B | تحقيق |
 |
LET9060 | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | تحقيق |
|
LET9060TR | STMicroelectronics | RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF | تحقيق |
|
LET9045F | STMicroelectronics | FET RF LDMOS 80V 9A M-250 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers