العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > JAN1N6638US
JAN1N6638US
رقم القطعة:
JAN1N6638US
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
14163 Pieces
ورقة البيانات:
JAN1N6638US.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN1N6638US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN1N6638US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى JAN1N6638US مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.1V @ 200mA
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):150V
تجار الأجهزة حزمة:B, SQ-MELF
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:Military, MIL-PRF-19500/578
عكس وقت الاسترداد (TRR):20ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:DO-213AB, MELF
اسماء اخرى:1086-20008
1086-20008-MIL
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:JAN1N6638US
وصف موسع:Diode Standard 150V 300mA Surface Mount B, SQ-MELF
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:500nA @ 150V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):300mA
السعة @ الواقع الافتراضي، F:2.5pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N6638US

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
JAN1N6631US Image JAN1N6631US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B تحقيق
JAN1N6626 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL تحقيق
JAN1N6660DT1 Microsemi Corporation DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA تحقيق
JAN1N6630 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL تحقيق
JAN1N6630US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF تحقيق
JAN1N6640US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF تحقيق
JAN1N6638U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF تحقيق
JAN1N6625U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF تحقيق
JAN1N6639 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL تحقيق
JAN1N6631 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL تحقيق
JAN1N6661US Image JAN1N6661US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A تحقيق
JAN1N6631U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF تحقيق
JAN1N6638 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL تحقيق
JAN1N6630U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF تحقيق
JAN1N6639US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF تحقيق

Latest الأخبار