JAN1N5811US
JAN1N5811US
رقم القطعة:
JAN1N5811US
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
19235 Pieces
ورقة البيانات:
JAN1N5811US.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN1N5811US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN1N5811US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى JAN1N5811US مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:875mV @ 4A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):150V
تجار الأجهزة حزمة:B, SQ-MELF
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:Military, MIL-PRF-19500/477
عكس وقت الاسترداد (TRR):30ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SQ-MELF, B
اسماء اخرى:1086-2127
1086-2127-MIL
Q9178857
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:JAN1N5811US
وصف موسع:Diode Standard 150V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:5µA @ 150V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):6A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات