العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > IXZ210N50L
IXZ210N50L
رقم القطعة:
IXZ210N50L
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
N-CHANNEL RF MOSFET 175MH
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18869 Pieces
ورقة البيانات:
IXZ210N50L.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXZ210N50L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXZ210N50L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXZ210N50L مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:500V
نوع الترانزستور:N-Channel
تجار الأجهزة حزمة:DE275
سلسلة:-
مخرج قوي:200W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:6-SMD Module
اسماء اخرى:Q2463978
الضوضاء الشكل:-
الصانع الجزء رقم:IXZ210N50L
ربح:16dB
تردد:175MHz
وصف موسع:RF Mosfet N-Channel 50V 175MHz 16dB 200W DE275
وصف:N-CHANNEL RF MOSFET 175MH
التصويت الحالي:10A
الحالي - اختبار:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXZ210N50L

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MMRF1020-04GNR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G تحقيق
MRF8P9300HSR5 Image MRF8P9300HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS تحقيق
BF556A,235 Image BF556A,235 NXP USA Inc. JFET N-CH 30V 7MA SOT23 تحقيق
IXZ210N50L2 Image IXZ210N50L2 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL DE275 تحقيق
MW6S010GMR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW تحقيق
SD2932B Image SD2932B STMicroelectronics IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 تحقيق
CE3521M4-C2 Image CE3521M4-C2 CEL RF FET 4V 20GHZ SOT343 تحقيق
BLF8G22LS-220J Image BLF8G22LS-220J Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B تحقيق
MAGX-001214-250L00 Image MAGX-001214-250L00 M/A-Com Technology Solutions TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ تحقيق
BLF888,112 Image BLF888,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A تحقيق
BLS6G2731-120,112 Image BLS6G2731-120,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A تحقيق
MMBFJ310LT3G Image MMBFJ310LT3G ON Semiconductor JFET N-CH 25V 60MA SOT23 تحقيق
A2T21S260-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
BF1202WR,115 Image BF1202WR,115 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R تحقيق
BLD6G22L-50,112 Image BLD6G22L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A تحقيق

Latest الأخبار