يشترى IXYA8N90C3D1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXYA8N90C3D1
- رقم القطعة:
- IXYA8N90C3D1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18951 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXYA8N90C3D1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXYA8N90C3D1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXYA8N90C3D1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 900V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 8A |
| اختبار حالة: | 450V, 8A, 30 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 16ns/40ns |
| تحويل الطاقة: | 460µJ (on), 180µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AA |
| سلسلة: | GenX3™, XPT™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 114ns |
| السلطة - ماكس: | 125W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXYA8N90C3D1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 13.3nC |
| وصف موسع: | IGBT 900V 20A 125W Surface Mount TO-263AA |
| وصف: | IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 48A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 20A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXYA8N90C3D1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FGM623S | Sanken | IGBT 600V 30A 60W TO3PF | تحقيق |
 |
RJH60F5DPQ-A0#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 80A 260.4W TO247A | تحقيق |
 |
HGTP10N120BN | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB | تحقيق |
 |
IRGIB4615DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V FULLPAK220 COPAK | تحقيق |
 |
STGB30NC60WT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W D2PAK | تحقيق |
 |
IRGBC40U | Infineon Technologies | IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB | تحقيق |
|
IRG7PK42UD1MPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | تحقيق |
 |
IXDA20N120AS-TUBE | IXYS | IGBT 1200V 38A 200W TO263AB | تحقيق |
 |
APT100GT60B2RG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 148A 500W SOT247 | تحقيق |
 |
IRG4PC40KDE206P | Infineon Technologies | IGBT 600V 42A 160W TO247AC | تحقيق |
 |
FGA50N100BNTTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO3P | تحقيق |
|
IRGBC30FD2 | Infineon Technologies | IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog