IXTY1R4N60P
رقم القطعة:
IXTY1R4N60P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17279 Pieces
ورقة البيانات:
IXTY1R4N60P.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTY1R4N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTY1R4N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTY1R4N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 25µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252, (D-Pak)
سلسلة:PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9 Ohm @ 700mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):50W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTY1R4N60P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:140pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:5.2nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات