يشترى IXTX120P20T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTX120P20T
- رقم القطعة:
- IXTX120P20T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16273 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTX120P20T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTX120P20T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTX120P20T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | TrenchP™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 60A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTX120P20T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 73000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 740nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 200V 120A (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTX120P20T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTX170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247 | تحقيق |
 |
BS108ZL1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 | تحقيق |
 |
IXTX1R4N450HV | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | تحقيق |
 |
SI5435BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 | تحقيق |
 |
STB60NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | تحقيق |
 |
SI1058X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F | تحقيق |
|
IXTX120N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 | تحقيق |
 |
FDMA86108LZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP | تحقيق |
 |
AOD4T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH | تحقيق |
 |
RRH050P03GZETB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC | تحقيق |
|
IXTX17N120L | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 | تحقيق |
 |
FDD5N50FTF_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK | تحقيق |
|
IXTX110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 | تحقيق |
|
FDD390N15ALZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 | تحقيق |
 |
IRFU120Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK | تحقيق |
|
IXTX102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247 | تحقيق |
 |
SI7742DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
NTB13N10T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers