العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTT11P50
IXTT11P50
IXTT11P50
رقم القطعة:
IXTT11P50
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15724 Pieces
ورقة البيانات:
IXTT11P50.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT11P50 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT11P50 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTT11P50 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:750 mOhm @ 5.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTT11P50
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:130nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 500V 11A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTT11P50

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTT1N250HV Image IXTT1N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV تحقيق
IXTT12N150HV Image IXTT12N150HV IXYS MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 تحقيق
IXTT120N15P Image IXTT120N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 تحقيق
IXTT140P10T Image IXTT140P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 تحقيق
IXTT16N20D2 Image IXTT16N20D2 IXYS MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 تحقيق
IXTT10N100D2 Image IXTT10N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 تحقيق
IXTT100N25P Image IXTT100N25P IXYS MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 تحقيق
IXTT1N450HV Image IXTT1N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 تحقيق
IXTT110N10P Image IXTT110N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 تحقيق
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 تحقيق
IXTT16P60P Image IXTT16P60P IXYS MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 تحقيق
IXTT1N300P3HV Image IXTT1N300P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF تحقيق
IXTT10P50 Image IXTT10P50 IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 تحقيق
IXTT170N10P Image IXTT170N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 تحقيق
IXTT16N10D2 Image IXTT16N10D2 IXYS MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 تحقيق
IXTT110N10L2 Image IXTT110N10L2 IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 تحقيق
IXTT1N100 Image IXTT1N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 تحقيق
IXTT12N140 Image IXTT12N140 IXYS MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 تحقيق
IXTT16P20 Image IXTT16P20 IXYS MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 تحقيق

Latest الأخبار