يشترى IXTR36P15P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTR36P15P
- رقم القطعة:
- IXTR36P15P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16434 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTR36P15P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTR36P15P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTR36P15P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | PolarP™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120 mOhm @ 18A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS247™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTR36P15P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2950pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 55nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 150V 22A (Tc) 150W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTR36P15P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTR30N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
SPP80N06S2L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
IRF3805L-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 | تحقيق |
 |
BUK7Y22-100EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK | تحقيق |
|
IXTR32P60P | IXYS | MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IRF3515STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | تحقيق |
 |
SI4686DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF7853PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI1013X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 | تحقيق |
 |
STU3LN62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK | تحقيق |
 |
IXFK80N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 80A TO-264 | تحقيق |
|
SI4840DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRFS59N10DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | تحقيق |
 |
STF13N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP | تحقيق |
 |
FDS7060N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFN40N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
 |
NTMS4937NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC | تحقيق |
 |
CSD17484F4 | Texas Instruments | N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | تحقيق |
|
IRFZ24S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
ZXMP7A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers