العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTR36P15P
IXTR36P15P
IXTR36P15P
رقم القطعة:
IXTR36P15P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16434 Pieces
ورقة البيانات:
IXTR36P15P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTR36P15P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTR36P15P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTR36P15P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS247™
سلسلة:PolarP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:120 mOhm @ 18A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):150W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS247™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTR36P15P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2950pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:55nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 150V 22A (Tc) 150W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):150V
وصف:MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTR36P15P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTR30N25 Image IXTR30N25 IXYS MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 تحقيق
SPP80N06S2L-09 Image SPP80N06S2L-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 تحقيق
IRF3805L-7PPBF Image IRF3805L-7PPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 تحقيق
BUK7Y22-100EX Image BUK7Y22-100EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK تحقيق
IXTR32P60P Image IXTR32P60P IXYS MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 تحقيق
IRF3515STRLPBF Image IRF3515STRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK تحقيق
SI4686DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC تحقيق
IRF7853PBF Image IRF7853PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC تحقيق
SI1013X-T1-E3 Image SI1013X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 تحقيق
STU3LN62K3 Image STU3LN62K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK تحقيق
IXFK80N65X2 Image IXFK80N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 80A TO-264 تحقيق
SI4840DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC تحقيق
IRFS59N10DPBF Image IRFS59N10DPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK تحقيق
STF13N80K5 Image STF13N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP تحقيق
FDS7060N7 Image FDS7060N7 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC تحقيق
IXFN40N90P Image IXFN40N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 تحقيق
NTMS4937NR2G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC تحقيق
CSD17484F4 Texas Instruments N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET تحقيق
IRFZ24S Image IRFZ24S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK تحقيق
ZXMP7A17KTC Image ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK تحقيق

Latest الأخبار