IXTQ170N10P
IXTQ170N10P
رقم القطعة:
IXTQ170N10P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12170 Pieces
ورقة البيانات:
IXTQ170N10P.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTQ170N10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTQ170N10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTQ170N10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P
سلسلة:Polar™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):715W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTQ170N10P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:198nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-3P
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:170A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات