يشترى IXTK200N10L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTK200N10L2
- رقم القطعة:
- IXTK200N10L2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13795 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTK200N10L2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTK200N10L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTK200N10L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 3mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264 (IXTK) |
| سلسلة: | Linear L2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1040W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| اسماء اخرى: | Q7017004 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTK200N10L2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 23000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 540nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTK200N10L2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SQR70090ELR_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 86A DPAK | تحقيق |
 |
STW69N65M5-4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4 | تحقيق |
 |
IXTK200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 | تحقيق |
 |
IRFR9024NTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK | تحقيق |
|
IXTK250N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA | تحقيق |
|
IXTK20N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264 | تحقيق |
 |
TPCC8009,LQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV | تحقيق |
|
IXTK21N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 | تحقيق |
 |
HUF76609D3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | تحقيق |
 |
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
IRFIB5N65APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP | تحقيق |
 |
FDMS2506SDC | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 39A POWER56 | تحقيق |
 |
IPI60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK | تحقيق |
|
IXTK22N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 | تحقيق |
|
FQD4N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers