يشترى IXTH2N300P3HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH2N300P3HV
- رقم القطعة:
- IXTH2N300P3HV
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18231 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH2N300P3HV.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH2N300P3HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH2N300P3HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247HV |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 21 Ohm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 520W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH2N300P3HV |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1890pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 73nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 3000V (3kV) 2A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247HV |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 3000V (3kV) |
| وصف: | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH2N300P3HV
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH20N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH220N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 220A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH220N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 230A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH20N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH2R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH26P20P | IXYS | MOSFET P-CH 200V 26A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH2N170D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH21N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH280N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH2N150L | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH20P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH250N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 250A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH24P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD | تحقيق |
|
IXTH24N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH270N04T4 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 270A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers