يشترى IXTH1N300P3HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH1N300P3HV
- رقم القطعة:
- IXTH1N300P3HV
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12712 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH1N300P3HV.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH1N300P3HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH1N300P3HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247HV |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 195W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH1N300P3HV |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 895pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30.6nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 3000V (3kV) 1A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-247HV |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 3000V (3kV) |
| وصف: | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH1N300P3HV
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH1N200P3 | IXYS | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | تحقيق |
 |
IXTH1N450HV | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | تحقيق |
|
IXTH12N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH140P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 140A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH12N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH12N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH110N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH160N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 160A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH10P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH102N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH14N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH102N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 102A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD | تحقيق |
|
IXTH16N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH16N20D2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH150N17T | IXYS | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers