العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXKN45N80C
IXKN45N80C
IXKN45N80C
رقم القطعة:
IXKN45N80C
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16160 Pieces
ورقة البيانات:
IXKN45N80C.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXKN45N80C ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXKN45N80C عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXKN45N80C مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.9V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:74 mOhm @ 44A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXKN45N80C
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:360nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:N-Channel 800V 44A Chassis Mount SOT-227B
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:44A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXKN45N80C

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
STB21NM60N Image STB21NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK تحقيق
AOC2423 Image AOC2423 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP تحقيق
DMNH6008SPSQ-13 Image DMNH6008SPSQ-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI تحقيق
IRF40H210 Image IRF40H210 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6 تحقيق
SQJ418EP-T1_GE3 Image SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 48A SO8 تحقيق
DMG4N60SK3-13 Image DMG4N60SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& تحقيق
IXTK5N250 Image IXTK5N250 IXYS MOSFET N-CH 2500V 5A TO264 تحقيق
BUZ73H3046XKSA1 Image BUZ73H3046XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 تحقيق
FDMS0302S Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 29A تحقيق
IXFE180N20 Image IXFE180N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 تحقيق
IXKN40N60C Image IXKN40N60C IXYS MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B تحقيق
IXFP4N85XM Image IXFP4N85XM IXYS MOSFET N-CH 80V 3.5A TO220 تحقيق
IXFT14N80P Image IXFT14N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 تحقيق
SIHW47N60E-GE3 Image SIHW47N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD تحقيق
APT34F60BG Image APT34F60BG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 تحقيق
IRLHS6242TRPBF Image IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 10A PQFN تحقيق
IXFA270N06T3 Image IXFA270N06T3 IXYS 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE تحقيق
FQA9P25 Image FQA9P25 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P تحقيق
MCQ4407-TP Image MCQ4407-TP Micro Commercial Co P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE تحقيق
IRFR3410TRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 31A DPAK تحقيق

Latest الأخبار