يشترى IXFX420N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFX420N10T
- رقم القطعة:
- IXFX420N10T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16374 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFX420N10T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFX420N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFX420N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | GigaMOS™ HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.6 mOhm @ 60A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1670W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFX420N10T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 47000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 670nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 420A (Tc) 1670W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 420A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFX420N10T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y4R4-40EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
IXFX48N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 | تحقيق |
 |
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A PQFN | تحقيق |
 |
BTS244ZE3043AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 | تحقيق |
|
IXFX48N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 | تحقيق |
 |
RJL6013DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK | تحقيق |
|
IXFX44N55Q | IXYS | MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247 | تحقيق |
 |
IRFR310TRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK | تحقيق |
|
IXFX44N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX40N90P | IXYS | MOSFET N-CH PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX44N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247 | تحقيق |
 |
PSMN003-30P,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
IPD50N06S214ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
FDMA7630 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET | تحقيق |
|
IXFX48N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247 | تحقيق |
 |
BUK6218-40C,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | تحقيق |
|
IXFX44N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX44N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 | تحقيق |
 |
DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 | تحقيق |
 |
FQPF5P20 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers