IXFT58N20Q
IXFT58N20Q
رقم القطعة:
IXFT58N20Q
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17529 Pieces
ورقة البيانات:
IXFT58N20Q.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT58N20Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT58N20Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFT58N20Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 mOhm @ 29A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFT58N20Q
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:140nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات