العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFT16N120P
IXFT16N120P
IXFT16N120P
رقم القطعة:
IXFT16N120P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16662 Pieces
ورقة البيانات:
IXFT16N120P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT16N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT16N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFT16N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™, PolarP2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:950 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):660W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFT16N120P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:120nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFT16N120P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFT15N100Q Image IXFT15N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 تحقيق
IXFT120N15P Image IXFT120N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 تحقيق
IXFT14N100 Image IXFT14N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 تحقيق
IXFT16N90Q Image IXFT16N90Q IXYS MOSFET N-CH 900V 16A TO-268 تحقيق
IXFT17N80Q Image IXFT17N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) تحقيق
IXFT15N100Q3 Image IXFT15N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 تحقيق
IXFT150N20T Image IXFT150N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 تحقيق
IXFT10N100 Image IXFT10N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 تحقيق
IXFT15N80Q Image IXFT15N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 تحقيق
IXFT12N100F Image IXFT12N100F IXYS MOSFET N-CH 1KV 12A TO268 تحقيق
IXFT12N90Q Image IXFT12N90Q IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 تحقيق
IXFT18N90P Image IXFT18N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 18A TO268 تحقيق
IXFT14N80P Image IXFT14N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 تحقيق
IXFT18N100Q3 Image IXFT18N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 تحقيق
IXFT13N80Q Image IXFT13N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 تحقيق
IXFT12N100Q Image IXFT12N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 تحقيق
IXFT13N100 Image IXFT13N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 تحقيق
IXFT16N80P Image IXFT16N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 تحقيق
IXFT140N10P Image IXFT140N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 تحقيق
IXFT12N100 Image IXFT12N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 تحقيق

Latest الأخبار