يشترى IXFR80N60P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFR80N60P3
- رقم القطعة:
- IXFR80N60P3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14291 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFR80N60P3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR80N60P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR80N60P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 76 mOhm @ 40A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 540W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFR80N60P3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13100pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 190nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 48A (Tc) 540W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 48A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFR80N60P3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIA438EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L | تحقيق |
 |
NTMFS4935NBT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL | تحقيق |
 |
IXFR80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR80N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
FQPF33N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F | تحقيق |
 |
SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 | تحقيق |
 |
DMN62D0SFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN | تحقيق |
|
IXFR80N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR80N15Q | IXYS | MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | تحقيق |
|
IXFR80N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
2SK303000L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 100V 8A UG-1 | تحقيق |
 |
SPI08N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262 | تحقيق |
 |
STB80NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
STW15N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 12A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers