يشترى IXFR38N80Q2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFR38N80Q2
- رقم القطعة:
- IXFR38N80Q2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15972 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFR38N80Q2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR38N80Q2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR38N80Q2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 240 mOhm @ 19A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 416W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS247™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFR38N80Q2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8340pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 190nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFR38N80Q2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SUP18N15-95-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 | تحقيق |
 |
IXFR36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IRF6609TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | تحقيق |
|
IXFR32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR30N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
BSC200P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 | تحقيق |
 |
BUK9614-60E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK | تحقيق |
|
IXFR30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
FQD2N60CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | تحقيق |
|
IXFR36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
MTM761100LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 | تحقيق |
|
IXFR32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IXFN66N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B | تحقيق |
 |
IPI034NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 | تحقيق |
 |
FDMB506P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers