يشترى IXFP3N120 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFP3N120
- رقم القطعة:
- IXFP3N120
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13007 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFP3N120.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP3N120 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP3N120 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1.5mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFP3N120 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1050pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP3N120
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4888DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFP3N50PM | IXYS | MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220 | تحقيق |
 |
NTB90N02G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK | تحقيق |
 |
SI8407DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP | تحقيق |
|
IXFP36N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO220 | تحقيق |
 |
IRFBF20STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK | تحقيق |
 |
RSR030N06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 | تحقيق |
 |
AOI423 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 15A | تحقيق |
 |
SUP50N10-21P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB | تحقيق |
 |
CSD16403Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | تحقيق |
 |
DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | تحقيق |
|
IXFP30N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 | تحقيق |
 |
NVD4813NHT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK | تحقيق |
 |
STH320N4F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2 | تحقيق |
 |
EPC2032 | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | تحقيق |
|
IXFP3N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220 | تحقيق |
|
IRFS17N20DTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | تحقيق |
 |
FCH125N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 29A TO247 | تحقيق |
 |
STP185N10F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 120A TO220 | تحقيق |
|
IXFP34N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 34A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers