يشترى IXFN150N15 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFN150N15
- رقم القطعة:
- IXFN150N15
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13783 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFN150N15.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN150N15 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN150N15 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12.5 mOhm @ 75A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 600W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| اسماء اخرى: | Q3181657 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFN150N15 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9100pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 360nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 150V 150A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 150A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFN150N15
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN106N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN150N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | تحقيق |
|
IXFN180N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN170N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN140N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B | تحقيق |
|
IXFN140N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN170N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN150N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN130N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B | تحقيق |
|
IXFN110N85X | IXYS | 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE | تحقيق |
 |
IXFN132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers