يشترى IXFH4N100Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFH4N100Q
- رقم القطعة:
- IXFH4N100Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12635 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFH4N100Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH4N100Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH4N100Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1.5mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXFH) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFH4N100Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1050pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH4N100Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFP21N60L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | تحقيق |
 |
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
IXFH40N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH42N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 | تحقيق |
|
IXFH42N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 42A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH400N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH44N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH40N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD | تحقيق |
 |
FDMS86500DC | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN | تحقيق |
|
IXFH40N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 40A TO-247 | تحقيق |
 |
STF24N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP | تحقيق |
|
IXFH40N85X | IXYS | MOSFET NCH 850V 40A TO247 | تحقيق |
|
IXFH44N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFH46N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH40N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD | تحقيق |
 |
NTMFS5C430NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL | تحقيق |
 |
HUFA75309D3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 19A IPAK | تحقيق |
 |
IPA60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 | تحقيق |
 |
SUM90142E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK | تحقيق |
|
IXFH42N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 42A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers