IXFH18N60X
IXFH18N60X
رقم القطعة:
IXFH18N60X
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19059 Pieces
ورقة البيانات:
IXFH18N60X.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH18N60X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH18N60X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFH18N60X مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 1.5mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:230 mOhm @ 9A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):320W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFH18N60X
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1440pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:35nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 18A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات