يشترى IXFC15N80Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFC15N80Q
- رقم القطعة:
- IXFC15N80Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13984 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFC15N80Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFC15N80Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFC15N80Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS220™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 650 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 230W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS220™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFC15N80Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 90nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 13A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFC15N80Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ44ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFC110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXFC16N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
NTBV75N06T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
PHB119NQ06T,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
|
IXFC14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXFC12N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IXTF1R4N450 | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | تحقيق |
 |
BSC085N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 | تحقيق |
 |
IXFC16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXFC14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
FQB6N40CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK | تحقيق |
 |
FQT13N06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 | تحقيق |
|
FDN361AN | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 | تحقيق |
 |
IRFPS3815PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247 | تحقيق |
|
IXFC10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
N0412N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 | تحقيق |
 |
STS15N4LLF5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC | تحقيق |
|
IXFC13N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
STB23NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers