IXFB82N60P
IXFB82N60P
رقم القطعة:
IXFB82N60P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14760 Pieces
ورقة البيانات:
IXFB82N60P.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB82N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB82N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFB82N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 8mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS264™
سلسلة:HiPerFET™, PolarHT™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:75 mOhm @ 41A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1250W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-264-3, TO-264AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFB82N60P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:23000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:240nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 82A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:82A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات