IXFB50N80Q2
IXFB50N80Q2
رقم القطعة:
IXFB50N80Q2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19987 Pieces
ورقة البيانات:
IXFB50N80Q2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB50N80Q2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB50N80Q2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFB50N80Q2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 8mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS264™
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:160 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1135W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-264-3, TO-264AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFB50N80Q2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:7200pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:260nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 50A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole PLUS264™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات